SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 고대역폭 메모리(HBM) 출하를 두고 "4분기 예정대로 12단 HBM3E를 출하할 것이며, 내년 상반기 전체 HBM3E출하량 중 절반 이상을 차지할 것이다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 "4분기에도 D램은 수요가 견조한 HBM 위주로 출하할 예정이며, HBM은 전분기 대비 한자리 수 중반 출하량 증가할 것이다"고 밝혔다.
특히 "낸드에서 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(ESSD) 판매 확대에 집중해 10% 중반 출하량 증가를 계획하고 있다"며 "D램 매출 성장을 견인하는 HBM 매출 비중은 3분기 30%로 확대됐고, 4분기에는 40% 수준에 이를 것이다"고 말했다.
아울러 3분기중 HBM3E 출하량은 HBM3를 넘어섰다고 밝혔다.

아주경제=김민우 기자 markkim@ajunews.com
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