ÆÄ¿ö¸µÅ©µî·Ï¾È³»
¡á Micron FY2Q21 ½ÇÀû¹ßÇ¥ (½Ã¿Ü 2% »ó½Â)
1. FY2Q21 ½ÇÀû ÄÁ¼¾¼½º
- ¸ÅÃâ¾× 62.4¾ïºÒ(ÄÁ¼¾¼½º 62.1¾ïºÒ »óȸ, YoY 30%), EPS 0.98ºÒ(ÄÁ¼¾¼½º 0.95ºÒ »óȸ)
- DRAM ½ÃÀå ³» °ø±Þ ºÎÁ·Çö»ó ½ÉÈ, NAND ½ÃÀå ¾ÈÁ¤È ±¹¸é ½Ã±×³Î È®ÀÎ Áß. ¸Þ¸ð¸® Àç°í´Â ¿¹»óº¸´Ù ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ¼öÁØÀ¸·Î µµ´Þ
- ´Ù³â°£ ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î ÀÎÇÁ¶ó ½Ã¼³À» È®º¸ÇصР¿µÇâÀ¸·Î ÃÖ±Ù Á¤Àü »çųª ´ë¸¸ ÁöÁø ÇÇÇØ´Â ÃÖ¼ÒÈ ½ÃÅ´
- ´ë¸¸ ³» °¡¹³ ¿µÇâÀ¸·Î DRAMÆÕ ÀϺΠ¹° °ø±Þ·®ÀÌ °¨¼Ò, ´Ù¸¸ ´ë¾ÈÀ» È°¿ëÇÏ°í »óȲÀ» ¿ÏȽÃÅ´. ÇöÀç DRAM »ý»ê·®¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ ¾øÀ½
¡¤ »ç¾÷ºÎº°
- Compute and Networking: 26¾ïºÒ(YoY 34%, QoQ 4%)
- Mobile : 18¾ïºÒ(YoY 44%, QoQ 21%). ÀϹÝÀûÀÎ °èÀý ¼ö¿äº¸´Ù °ßÁ¶ÇÑ È帧À» º¸ÀÓ, °í°´»ç¿¡ ÀϺΠ1An/176´Ü NAND Á¦Ç° °ø±Þ ½ÃÀÛ
- Embedded : 9.4¾ïºÒ(YoY 34%, QoQ 16%)
- Storage : 8.5¾ïºÒ(YoY -2%, QoQ -7%)
¡¤ Á¦Ç°º°
- DRAM(¸ÅÃâ ºñÁß 71%): B/G QoQ ÇÑÀÚ¸®ÈĹݴë% »ó½Â, ASP QoQ ¼ÒÆø »ó½Â
- NAND(¸ÅÃâ ºñÁß 26%): B/G QoQ ÇÑÀÚ¸®ÈĹݴë% »ó½Â, ASP QoQ ³·Àº ÇÑÀÚ¸®´ë% Ç϶ô
2. FY3Q21 °¡ÀÌ´ø½º
- ¸ÅÃâ¾× 69¾ïºÒ~83¾ïºÒ(ÄÁ¼¾¼½º 68.6¾ïºÒ »óȸ), EPS 1.55ºÒ~1.69ºÒ(ÄÁ¼¾¼½º 1.33ºÒ »óȸ)
- °í°´»çµéÀÇ ÀÏÁ¤¿¡ ¸ÂÃß¾î ´ÙÀ½ ¹Ý±â¿¡(CY3Q21~CY4Q21) DDR5¸¦ ³³Ç°Çϱâ À§ÇØ Áغñ Áß
- 176´Ü NAND ¾ç»êÀº °èȹ´ë·Î ÁøÇà Áß
¡¤ CAPEX °èȹ (º¯µ¿ ¾øÀ½)
- FY2021 ¿¬°£ CAPEX 90¾ïºÒ ¼öÁØÀ¸·Î, FY2020 79¾ïºÒ ´ëºñ Áõ°¡ ¿¹»ó
3. Micron ¸Þ¸ð¸®¾÷Ȳ ¾÷µ¥ÀÌÆ®
¡¤ DRAM
- CY2021±âÁØ, Industry ¼ö¿ä´Â 20%´ë Áõ°¡, °ø±ÞÀº ¼ö¿ä¸¦ ÇÏȸÇÒ °Í, °ø±Þ ºÎÁ· Çö»óÀÌ Áö¼ÓµÇ¸ç µð·¥°¡ ºü¸£°Ô »ó½Â Áß. Àå±âÀûÀ¸·Î´Â CAGR 10%ÁßÈĹݴë Áõ°¡ ¿¹»ó
- CY2021±âÁØ, µ¿»ç B/G´Â Industry ¼ö¿äº¸´Ù ³·À» °Í, Àå±âÀûÀ¸·Î Industry¿Í ºñ½ÁÇÒ °Í
¡¤ NAND
- CY2021±âÁØ, Industry ¼ö¿ä´Â 30% ÃÊÁ߹ݴë Áõ°¡, °ø±ÞÀÌ ¼ö¿ä¸¦ »óȸ, Àå±âÀûÀ¸·Î CAGR 30% Áõ°¡
- CY2021±âÁØ, µ¿»ç B/G´Â Industry ¼ö¿ä¸¦ ´Ù¼Ò ÇÏȸÇÒ °Í, Àå±âÀûÀ¸·Î´Â Industry ¼ö¿ä¿Í ºñ½ÁÇÒ °Í - NAND ½ÃÀå °ÇÀü¼ºÀ» À§Çؼ´Â Ãß°¡ÀûÀÎ Capex cut ÇÊ¿ä
(Ãâó À¯¾ÈŸÁõ±Ç)
ÆÄ¿ö¸µÅ©µî·Ï¾È³»